发明名称 |
Herstellverfahren für eine Halbleiterstruktur |
摘要 |
Auf eine aus dotierten Siliziumoxid bestehende Hartmaskenschicht (4) wird ohne Unterbrechung des Vakuums eine insbesondere dielektrische Antireflexschicht (5) mittels PECVD aufgebracht. Dann wird die Siliziumoxidschicht zur Hartmaske strukturiert und beispielsweise die Deep-Trench-Ätzung ausgeführt. Die Hartmaske (4) wird in einem HF/H¶2¶SO¶4¶-Gemisch oder in einem HF/Ethylenglycol-Gemisch mit hoher Ätzrate entfernt. Bei Verwendung eines HF/EG-Gemisches kann gleichzeitig eine ggf. darunter angeordnete Zwischenschicht (2, 3) um ein vorgegebenes Maß zurückgeätzt werden. Diese Integration zweier Netzätzschritte stellt eine große Vereinfachung gegenüber den bisherigen Naßätzverfahren in zwei verschiedenen Anlagen dar.
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申请公布号 |
DE19844102(A1) |
申请公布日期 |
2000.04.06 |
申请号 |
DE19981044102 |
申请日期 |
1998.09.25 |
申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
CLAUSSEN, WILHELM;LORENZ, BARBARA;PENNER, KLAUS;VOGT, MIRKO;SPERLICH, HANS-PETER |
分类号 |
H01L21/308;H01L21/311;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/308;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L21/308 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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