| 摘要 |
<p>L'invention concerne une cellule à mémoire non volatile, comportant un point mémoire du type à grille flottante (58), une zone de source, une zone de drain, une zone de canal et une grille de commande (68), la grille flottante comportant un pavé de matériau conducteur ou semi-conducteur et une couche (58, 64) de matériau conducteur ou semi-conducteur, formée et gravée au-dessus du pavé de matériau conducteur ou semi-conducteur, en contact électrique avec celui-ci.</p> |
