发明名称 INTEGRATED MEMORY WITH DIFFERENTIAL READ AMPLIFIER
摘要 <p>Der Speicher weist beschreibbare Speicherzellen (MC) auf. Außerdem weist er ein Bitleitungspaar (BL, /BL) auf, das die Speicherzellen (MC) mit einem differentiellen Leseverstärker (SA) verbindet. Eine Steuereinheit (CTR) dient zum Vorladen der Bitleitungen in mehreren Schritten, bevor bei einem Lesezugriff eine der Speicherzellen (MC) mit einer der Bitleitungen (BL) leitend verbunden wird. Die Steuereinheit (CTR) führt bei einem Schreibzugriff höchstens einen Teil der für einen Lesezugriff vorgesehenen Schritte des Vorladens der Bitleitungen durch, bevor der Leseverstärker Daten zum Bitleitungspaar (BL, /BL) übermittelt.</p>
申请公布号 WO2000019442(A1) 申请公布日期 2000.04.06
申请号 DE1999002888 申请日期 1999.09.13
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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