| 发明名称 | 可重写锗－锑－碲合金光信息介质 | ||
| 摘要 | 描述了一种可重写的光信息介质,其具有在成分位于三角形三元成分图中五边形区域PQSRT内的合金Ge－Sb－Te的基础上的相变记录层。这些合金表现出50ns或更少的完全擦除时间(CET)。45ns以下的CET值通过位于五边形区域PQSRT内的Te和化合物GeSb<SUB>2</SUB>Te<SUB>4</SUB>的连线上的合金获得。这种介质适合于高速记录(如至少6倍于CD速度),如用于DVD－RAM和光带。 | ||
| 申请公布号 | CN1249842A | 申请公布日期 | 2000.04.05 |
| 申请号 | CN98803160.4 | 申请日期 | 1998.10.29 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | 周国富;B·A·J·雅各布斯 |
| 分类号 | G11B7/24 | 主分类号 | G11B7/24 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种以激光束来高速记录的可重写光信息介质，所述介质包括承载堆积层的衬底，该堆积层依次包括第一绝缘层，含有由Ge，Sb和Te组成的合金的相变材料的记录层，第二绝缘层和金属镜面层，其特征在于-合金具有由原子百分比的三元成分相图Ge-Sb-Te中的一个区域所限定的成分，所述区域是具有如下顶点的五边形：Ge14.2Sb25.8Te60.0 (P)Ge12.7Sb27.3Te60.0 (Q)Ge13.4Sb29.2Te57.4 (R)Ge15.1Sb27.8Te57.1 (S)Ge13.2Sb26.4Te60.4 (T)-具有70到(70+λ/2n)nm的厚度的第一绝缘层，其中λ是激光束的波长，n是该层的折射率；-具有10到35nm的厚度的记录层；-具有10到50nm的厚度的第二绝缘层；-具有60到160nm的厚度的金属镜面层。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||