发明名称 | 绝缘体基硅传输门干扰的解决方法 | ||
摘要 | N型MOSFET的SOI传输门干扰的解决方法,在FET的栅与体之间连接电阻器以消除干扰状态。此FET制造在衬底中,具有源、漏和栅,场效应晶体管的体是电浮置的,且基本上与衬底电隔离。提供了将FET的电浮置体耦合到栅的高阻通路,致使当栅处于低位时,在能够出现明显的热充电之前,体向低态放电,从而防止了当晶体管处于关断时电荷在体上的积累。高阻通路的电阻最好约为10<SUP>10</SUP>Ωμm除以传输门的宽度。 | ||
申请公布号 | CN1249539A | 申请公布日期 | 2000.04.05 |
申请号 | CN99118748.2 | 申请日期 | 1999.09.16 |
申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 安杰斯·布赖恩特;爱德华·J·诺瓦克;米恩·H·通 |
分类号 | H01L29/78;H01L23/64;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1.制造于衬底中的具有源、漏和栅的场效应晶体管,其中场效应晶体管的体是电浮置的,且晶体管基本上与衬底电隔离,其特征在于包含:将场效应晶体管的电浮置体耦合到场效应晶体管的栅的高阻通路,致使当栅处于低位时,在能够出现明显的热充电之前,体向低态放电,从而防止当晶体管处于关断时电荷在体上的积累。 | ||
地址 | 美国纽约 |