发明名称 Micromechanical sensor based on the field effect and the use thereof
摘要 Beschrieben ist ein mikromechanischer Sensor zur Messung von Auslenkungen aufweisend mindestens einen MOSFET mit Gate-(G), Drain-(D), Source-(S) und Kanal-(K)-Bereichen, wobei das Gate beweglich angeordnet ist, welcher dadurch gekennzeichnet ist, daß das Gate (G) in eine Richtung (P) parallel zur Substratoberfläche (9) beweglich ist und die Bewegung des Gates in diese Richtung zu einer Vergrößerung oder Verkleinerung des vom Gate überlappten Kanalbereichs in mindestens einem MOSFET führt. Ferner betrifft die Erfindung die Verwendung des vorstehend genannten mikromechanischen Sensors in Mikrofonen, Drucksensoren, Beschleunigungssensoren oder Kraftsensoren. <IMAGE>
申请公布号 EP0990911(A1) 申请公布日期 2000.04.05
申请号 EP19990118269 申请日期 1999.09.14
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 WINTERS, REINER, DR.
分类号 B81B3/00;G01B7/14;G01P15/08;G01P15/12;(IPC1-7):G01P15/12 主分类号 B81B3/00
代理机构 代理人
主权项
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