发明名称 |
Kondensator mit einem Hoch-e-Dielektrikum oder einem Ferroelektrikum nach dem Fin-Stack-Prinzip und Herstellverfahren unter Einsatz einer Negativform |
摘要 |
Kondensator mit einem hoch-epsilon-dielektrischen oder ferroelektrischen Kondensatordielektrikum (9), dessen edelmetallhaltige Speicherelektrode mehrere horizontale Lamellen (9¶L¶) aufweist, die über eine Stützstruktur (9s) miteinander verbunden sind. Die Stützstruktur kann an einer oder vorzugsweise zwei gegenüberliegenden Außenflanken der Lamellen angeordnet sein. Bei der Herstellung wird zunächst (u. a. durch Abscheiden einer Schichtenfolge mit alternierend niedriger und hoher Ätzrate) eine fin-stack-Negativform, insbesondere aus p·+·-Polysilizium, gebildet, die dann konform mit dem Elektrodenmaterial aufgefüllt wird.
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申请公布号 |
DE19842704(A1) |
申请公布日期 |
2000.04.06 |
申请号 |
DE19981042704 |
申请日期 |
1998.09.17 |
申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
LANGE, GERRIT;SCHLOESSER, TILL |
分类号 |
H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/823 |
主分类号 |
H01L27/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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