发明名称 Kondensator mit einem Hoch-e-Dielektrikum oder einem Ferroelektrikum nach dem Fin-Stack-Prinzip und Herstellverfahren unter Einsatz einer Negativform
摘要 Kondensator mit einem hoch-epsilon-dielektrischen oder ferroelektrischen Kondensatordielektrikum (9), dessen edelmetallhaltige Speicherelektrode mehrere horizontale Lamellen (9¶L¶) aufweist, die über eine Stützstruktur (9s) miteinander verbunden sind. Die Stützstruktur kann an einer oder vorzugsweise zwei gegenüberliegenden Außenflanken der Lamellen angeordnet sein. Bei der Herstellung wird zunächst (u. a. durch Abscheiden einer Schichtenfolge mit alternierend niedriger und hoher Ätzrate) eine fin-stack-Negativform, insbesondere aus p·+·-Polysilizium, gebildet, die dann konform mit dem Elektrodenmaterial aufgefüllt wird.
申请公布号 DE19842704(A1) 申请公布日期 2000.04.06
申请号 DE19981042704 申请日期 1998.09.17
申请人 SIEMENS AG 发明人 LANGE, GERRIT;SCHLOESSER, TILL
分类号 H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/823 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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