| 发明名称 | 钽酸锶铋铌铁电薄膜 | ||
| 摘要 | 一种用于集成存储器电路(300,400),如FERAMS(300)等的薄膜铁电材料(500),包括具有经验化学式:SrBi<SUB>2+E</SUB>(Nb<SUB>X</SUB>Ta<SUB>2－x</SUB>)O<SUB>9+3E/2</SUB>的钽酸锶铋铌,其中E是代表范围从零至2的铋的超出剂量的数;及X是代表范围从0.01到0.9的铌剂量的数。操作该铁电存储器单元(400 )的方法包括:提供具有上述化学式的处于第一极化状态中的这种材料,使所述第一极化状态的薄膜铁电材料经受多个单向电压脉冲;及然后使所述铁电材料转换到所述多个单向电压脉冲基本上不产生痕迹的第二极化状态。 | ||
| 申请公布号 | CN1249849A | 申请公布日期 | 2000.04.05 |
| 申请号 | CN98803005.5 | 申请日期 | 1998.02.04 |
| 申请人 | 赛姆特里克斯公司 | 发明人 | 约瑟夫·D·库奇阿罗;那拉扬·索拉亚潘;卡洛斯·A·帕斯德阿劳约;拉里·D·麦克米伦 |
| 分类号 | H01L21/316;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1.一种具有薄膜铁电材料(500)的电子器件(300，400)，所述薄膜铁电材料具有小于约6000的厚度，所述电子器件的特征在于，所述薄膜铁电材料包括：具有经验化学式SrBi2+E(NbXTa2-X)O9+3E/2的钽酸锶铋铌，式中E是代表范围从零至2的铋的超出剂量的数；及X是代表范围从0.01到0.9的铌剂量的数。 | ||
| 地址 | 美国科罗拉多 | ||