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发明名称 METODO PER REALIZZARE TRANSISTORI HV AD ALTA TENSIONE CON ESTENSIONE DI DRAIN IN UN PROCESSO CMOS DI TIPO DUAL GATE CON SILICIURO
摘要
申请公布号 ITMI982124(A1) 申请公布日期 2000.04.03
申请号 IT1998MI02124 申请日期 1998.10.02
申请人 STMICROELECTRONICS S.R.L. 发明人 DALLA LIBERA GIOVANNA;GALBIATI NADIA;PATELMO MATTEO;VAJANA BRUNO
分类号 H01L;H01L21/8238 主分类号 H01L
代理机构 代理人
主权项
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