| 主权项 |
1.一种高导热性氮化矽烧结体,其特征为含有换算为氧化物超过7.5重量%以上,17.5重量%以下之钬,铒,镱等之镧族元素,由氮化矽结晶及晶界相所成,且晶界相中对晶界相全体之结晶化合物相比率为20%以上、导热系数为80W/mK以上者。2.如申请专利范围第1项之高导热性氮化矽烧结体,其中含有换算为氧化物0.1-30重量%之至少一种选自钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨所成群者。3.如申请专利范围第1项之高导热性氮化矽烧结体,其为气孔率2.5%以下,导热系数80W/mK以上,三点弯曲强度在室温下为650MPa以上者。4.一种压制构造物,其特征为在换算为氧化物含有超过7.5重量%以上之钬,铒,镱等之镧族元素,由氮化矽结晶及晶界相所成同时在晶界相中对全体晶界相之结晶化合物相比率为20%以上,具有90W/mK以上导热系数之氮化矽烧结体所成散热板上压接发热零件予以构成者。5.如申请专利范围第4项之压制构造物,其中高导热性氮化矽烧结体之三点弯曲强度为650MPa以上。6.如申请专利范围第4项之压制构造物,其中被压接于发热零件上之高导热性氮化矽烧结体之压接面表面粗细系以最高高度(Rmax)基准为10m以下。7.如申请专利范围第4项之压制构造物,其中高导热性氮化矽烧结体系由氮化矽结晶及晶界相所成,晶界相中对全体晶界相而言,结晶化合物相比率为50%以上。图式简单说明:第一图(A)、(B)、(C)、(D)系分别有关实施例3.2.1及比较例之烧结体的X射线绕射图,第一图(E)系晶界相之结晶化率为零之烧结体X射线绕射图。第二图系表示使用矽控制整流元件之压制构造物闸流体的构造例剖面图。第三图系承载于车辆型之其他闸流体的构造例侧面图。 |
