| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体之制造方法,其包含下列步骤:在一基材上形成闸极;形成一闸极绝缘层覆盖住该闸极;在覆盖住闸极之闸极绝缘层上形成一非晶系本质之矽层;于本质非晶系矽层之上形成一经掺杂之非晶系矽层;在经掺杂之非晶系矽层上形成彼此相隔离之源极与汲极;乾式蚀刻经掺杂之非晶系矽层;及进行氦电浆处理。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中在乾式蚀刻之后原处进行氦电浆处理。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中源极及汲极系由钼或钼钨合金所制得。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中CF4+HCl气体系统使用于乾式蚀刻阶段。5.一种薄膜电晶体之制造方法,其包含下列步骤:在一基材上形成闸极;形成一闸极绝缘层覆盖住该闸极;在覆盖住闸极之闸极绝缘层上形成一本质非晶系矽层;于本质非晶系矽层之上形成一经掺杂之非晶系矽层;在经掺杂之非晶系矽层上沉积一金属层;在金属层上形成一光阻图案;利用光阻图案作为光罩藉以蚀刻金属层以形成源极与汲极;利用该光阻图案作为光罩藉以乾蚀刻该掺杂后的非晶系矽层;剥除光阻图案;利用源极与汲极作为光罩以乾式蚀刻经掺杂之非晶系矽层;及进行氦电浆处理。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中在乾式蚀刻之后原处进行氦电浆处理。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中源极及汲极系由钼或钼钨合金所制得。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中CF4+HCl气体系统被使用于乾式蚀刻阶段。9.一种薄膜电晶体之制造方法,其包含下列步骤:在一基材上形成闸极;形成一闸极绝缘层覆盖住闸极;在覆盖住闸极之闸极绝缘层上形成一本质非晶系矽层;于本质非晶系矽层之上形成一经掺杂之非晶系矽层;在经掺杂之非晶矽层上沉积一金属层;在金属层上形成一光阻图案;利用光阻图案作为光罩藉以蚀刻金属层以形成源极与汲极;利用该光阻图案作为光罩藉以乾蚀刻该掺杂后的非晶系矽层;剥除光阻图案;及进行氦电浆处理。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中在乾式蚀刻之后原处进行氦电浆处理。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中源极及汲极系由钼或钼钨合金所制得。图式简单说明:第一图系根据本发明之第一具体实例之TFT基材之布置图。第二图-第四图系第一图中所示TFT基材各自沿着线II-II';III-III',IV-IV'之剖面图。第五图A-第八图C系根据本发明之第一具体实例举例说明第一图中所示TFT基材之制造方法之剖面图。第九图系显示在大气压力(1atm)之下耐热性金属卤化物之挥发及昇华温度表。第十图系显示根据本发明之第一具体实例在某些乾式蚀刻气体系统下MoW之蚀刻速率表。第十一图系根据本发明之第一具体实例在另一乾式蚀刻气体系统下MoW之蚀刻速率实例图。第十二图-第十四图系显示以蚀刻速率与均匀性各自作为压力、电能与气体流量之函数之图形。第十五图系举例说明在H2电浆处理之前与之后TFT之I-V特性。第十六图系举例说明在氦电浆处理之后TFT之I-V特性。第十七图系显示于根据本发明之第一具体实例之制程时被检测到之离子之种类与数量之图形。第十八图显示根据本发明之第二具体实例之制造方法之TFT基材剖面之实例。第十九图系根据第二具体实例之制造方法与经掺杂之非晶系矽层之蚀刻速率之图表。第二十图系显示根据第二具体实例之TFT之EDS测试之结果。第二十一图系显示根据第二具体实例利用EDS数据计算迁移率之图表。 |
