热处理方法

摘要

当一截有晶片(待处理物)之晶片容器船被装进一个反应筒,然后藉由一加热区以一为50℃/min或更高的速率予以增温时;该反应筒的降压度被减低，或者，有氢气被充入其中。与该晶片容器船之上的晶片接触部份的表面粗糙度为50μm或更小。于是，对应于该等晶片的热传导系数获得改良，有某一面上温度差被压抑得更小。因此，当该待处理物在反应筒之中被增温以做热处理时，待处理物质的面上温度差可能被压抑得更小，而避免发生滑动或歪曲等导致产量减少的情况。

主权项

1.一种在一预定的降压度下,对待处理物施予热处 理的方法,其包含有: 将置于一个感受器上的待处理物插入至一被建来 供施加热处理之用的反应空间内, 以一为50℃/min或更高的速率来提高该反应空间的 温度,而将该反应空间加热至一预定的热处理温度 ,并在一预定的降压度下,对该待处理物质进行热 处理,以及 于处理该待处理物时,在高于该降压度之压力下提 高该反应空间的温度。2.如申请专利范围第1项之 热处理方法,其中该预定的降压度为0.25-25Torr。3. 如申请专利范围第1项之热处理方法,其中该反应 空间系在H2(氢气)或He(氦)气体环境下被构成之,俾 以提高其一温度。4.如申请专利范围第1项之热处 理方法,其中该温度上升速率为50-100℃/min。5.如申 请专利范围第1项之热处理方法,其中该感受器与 该待处理物质相接触之表面的粗糙度被处理成为 50m或更低。图式简单说明: 第一图为一垂直热处理装置的结构纵向截面图,该 装置系用于依据本发明之热处理方法; 第二图为第一图中所示的垂直热处理装置的加热 区的透视图; 第三图为一晶片容器船之主体的纵向截面图,该船 系用于于第一图中所示的垂直热处理装置; 第四图为一放大的纵向截面图,表示在依据本发明 之热处理方法中,晶片感受器与晶片之间的接触部 份; 第五图为一显示晶片面上温度差评可范围的座标 图; 第六图则为显示每一温度上升量所对应之最大面 上温度的表格,其系依据本发明之热处理装置,当 反应筒中的反应空间内部温度增加,而致反应空间 中的压力有所改变; 第七图则为显示由晶片中央算起之距离与每一温 度升高速率所对应之面上温度差之间关系的座标 图,其系在使用晶片感受器时所做; 第八图则为显示由晶片中央算起之距离与每一温 度升高速率所对应之面上温度差之间关系的座标 图,其系在不使用晶片感受器时所做。