发明名称 于导引管终端具有增加之幅射场强度的放射线同位素导引管
摘要 揭示一放射性同位素导引管,该导引管终端区域比导引管中心区域具有较高的放射能。为了降低新生血管内膜增生,在体内动脉血管中的导引管终端必须具有较大的范围,放置在导引管终端或附近的辐射量必须比导引管其他部份的辐射场强。本发明另一个目的就是藉由追加放置在导引管终端的金属表面,因放置放射性物质的表面积增加而增加导引管终端的辐射场强度。
申请公布号 TW386035 申请公布日期 2000.04.01
申请号 TW087111173 申请日期 1998.07.10
申请人 罗伯E.斐席尔;提姆A.斐席尔;大卫R.斐席尔 发明人 罗伯E.斐席尔;提姆A.斐席尔;大卫R.斐席尔
分类号 A61M25/14;A61N5/10 主分类号 A61M25/14
代理机构 代理人 林镒珠 台北巿长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种放射性同位素导引管,其系包含一般的圆柱 筒形薄壁之金属构造,该导引管终端附近有一终端 区,而在导引管纵轴中心有一中央区,此导引管包 括放射性同位素的放射性活化物质,将放射性同位 素固定在金属的导引管上,在导引管终端区每一单 位长度导引管的放射性同位素数量比导引管中央 区每一单位长度导引管放射性同位素多。2.如申 请专利范围第1项的导引管,其中,介于导引管中央 和终端每单位长度的放射性同位素量由中央开始 持续增加至终端,每单位长度放射性同位素量至导 引管终端时达到最大量。3.如申请专利范围第1项 之导引管,其中固定于导引管中的放射性同位素是 贝塔(beta)粒子放射之放射性同位素。4.如申请专 利范围第3项之导引管,其中,该放射性同位素系磷 32。5.如申请专利范围第1项之导引管,其中,该导引 管涂覆抗血栓形成涂覆物。6.如申请专利范围第1 项之导引管,其中,该导引管适用于膨胀气球扩张 。7.如申请专利范围第1项之导引管,其中,该导引 管适用于自我扩张。8.如申请专利范围第1项之导 引管,其中,该导引管之金属具有一表面,而且在导 引管表面至少放置些许放射性同位素,以形成表面 涂覆物。9.如申请专利范围第1项之导引管,其中, 导引管之金属具有一表面,而且该导引管至少具有 一些移植到金属导引管的放射性同位素离子,以形 成放射性活化导引管,该放射性同位素离子是埋在 导引管的表面。10.如申请专利范围第1项之导引管 ,其中,该导引管的终端区每一单位长度比导引管 中央区具有较多的表面积,导引管每一单位表面积 具有均匀的放射性同位素量,因此在导引管终端区 可提供每一单位长度导引管较多的放射性同位素 。图式简单说明: 第一图是习知的圆柱形导引管的侧视图。放射性 同位素均匀地沿着导引管放置,并且显示出因放射 性同位素的均匀分布而产生的辐射场强度。 第二图为导引管的侧视图,与习知的导引管相较, 在导引管终端处有增强的放射能,而且显示出因为 非均匀分布放射能所产生的辐射强度。
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