发明名称 |
PROCESS FOR FORMING LOW RESISTIVITY TITANIUM NITRIDE FILMS |
摘要 |
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申请公布号 |
KR100250586(B1) |
申请公布日期 |
2000.04.01 |
申请号 |
KR19947000432 |
申请日期 |
1994.02.14 |
申请人 |
MATERIALS RESEARCH CORPORATION;TOKYO ELECTRON LIMITED |
发明人 |
ERIC C. EICHMAN;BRUCE A. SOMMER;MICHAEL J. HURLEY |
分类号 |
C23C16/34;C23C16/56;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768;(IPC1-7):C23C16/34 |
主分类号 |
C23C16/34 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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