| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps, in den wenigstens eine Zone (4) des zweiten Leitungstyps eingebettet ist. Die Zone (4) ist im Abstand von Gebieten (7) des zweiten Leitungstyps wannenartig umgeben, wobei diese Gebiete (7) an wenigstens einer Stelle durch einen Kanal (8) des Halbleiterkörpers (1) unterbrochen und so hoch dotiert sind, daß sie im Sperrfall nicht ausgeräumt werden.</p> |
