| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf einen Bipolartransistor sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung. Aufgabe der Erfindung ist es, einen Bipolartransistor und ein Verfahren zu seiner Herstellung vorzuschlagen, bei dem für eine Einfach-Poly-Silizium-Technologie mit differentieller Epitaxie zur Basisherstellung die Nachteile konventioneller Anordnungen überwunden werden, um insbesondere die Hochgeschwindigkeitseigenschaften eines Bipolartransistors weiter zu verbessern. Erfindungsgemäss wird diese Aufgabe dadurch gelöst, dass durch Aufbringen einer geeigneten Schicht mit guten Bekeimungseigenschaften für die Si-Abscheidung und isolierenden Eigenschaften auf die eigentliche Isolatorschicht, die Bekeimung bei der differentiellen Epitaxie verbessert und damit die Poly-Siliziumschicht auf dem Isolargebiet mit grösserer Dicke abgeschieden wird. Die grössere Dicke der Poly-Siliziumschicht wird durch eine bessere Bekeimung erreicht, die eine Verkürzung der Induktionsperiode (Totzeit) für die Abscheidung auf der Isolatorschicht bewirkt. Die bessere und gleichmässigere Bekeimung der Ankeimschicht führt zu einer homogenen Abscheidung. Es entstehen Schichten mit gleichmässiger Kornstruktur und geringer Oberflächenrauhigkeit. Dadurch werden gleichmässige elektrische Eigenschaften erreicht.</p> |
