| 发明名称 |
Heterostrukturfeldeffektanordnung mit einem direkt auf der Kanalschicht gebildeten, hoch schmelzenden ohmischen Kontakt und Verfahren zur Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69603407(T2) |
申请公布日期 |
2000.03.30 |
| 申请号 |
DE19966003407T |
申请日期 |
1996.04.29 |
| 申请人 |
MOTOROLA, INC. |
发明人 |
ABROKWAH, JONATHAN K.;HUANG, JENN-HWA;OOMS, WILLIAM J.;SHURBOFF, CARL L.;HALLMARK, JERALD A. |
| 分类号 |
H01L29/43;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/335;H01L21/338;H01L23/52;H01L27/085;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/778 |
主分类号 |
H01L29/43 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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