| 摘要 |
<p>In einer integrierten Schaltungsanordnung sind oberhalb einer ersten leitenden Struktur (6), die in eine erste isolierende Schicht (4) eingebettet ist, eine erste Barriereschicht (7) und eine zweite isolierende Schicht (8) angeordnet, in denen ein Kontaktloch (10) vorgesehen ist, das auf die erste leitende Struktur (6) reicht. Die Seitenwände des Kontaktlochs (10) sind oberhalb der ersten Barriereschicht (7) mit Spacern versehen, die als Diffusionsbarriere wirken und die bis auf die Oberfläche der ersten Barrierschicht (7) reichen. In dem Kontaktloch (10) ist eine zweite leitende Struktur (13) angeordnet, die mit der ersten leitenden Struktur (6) leitend verbunden ist. Die Spacer verhindern bei der Herstellung des Kontaktlochs eine Ablagerung von Material der ersten leitenden Struktur (6) auf der Oberfläche der zweiten isolierenden Schicht (8).</p> |
