发明名称 |
提供和集成电路的电接触的引线架和集成电路封装 |
摘要 |
带引线架的封装器件、引线架及含基底金属及其上的镀层、镍层上的复合金属保护层的制品。复合层包括自镍层起依次为钯或软金沉积层、钯镍合金层、钯层及金层。钯或软金沉积层起接合层作用,并促进后续层减少孔隙度。Pd-Ni层对基底金属离子起陷阱作用,Pd层对来自Pd-Ni合金层的Ni离子起陷阱作用。外金层协作增强Pd层质量。软金沉积层上的Pd1~5微英寸、Pd-Ni合金层4~100微英寸、Pd层1~100微英寸、而外金层1~100微英寸。 |
申请公布号 |
CN1050935C |
申请公布日期 |
2000.03.29 |
申请号 |
CN94108013.7 |
申请日期 |
1994.07.26 |
申请人 |
美国电话及电报公司 |
发明人 |
J·A·阿比斯;I·V·卡迪扎;E·J·库德拉克;J·J·梅桑诺 |
分类号 |
H01L23/495;C23C14/16 |
主分类号 |
H01L23/495 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
董巍;肖掬昌 |
主权项 |
1.一种提供和集成电路器件的电接触的引线架包括基底金属,在该基底金属上的镍层以及在镍层上沉积的复合金属层,所述复合层包括钯镍合金层,其厚度至少足以减缓基底金属向引线表面的扩散并且,其特征在于,从镍层起依次为内部钯成软金层,所述钯镍合金层镍的重量占10%-90%,外部钯层,和外部金层,其中所述内部钯成软金层的厚度至少为25nm,所述外部钯层的厚度至少为25nm并且所述外部金层的厚度至少为25nm。 |
地址 |
美国纽约州 |