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发明名称 Integrated circuit fabrication method with buried oxide isolation
摘要
申请公布号 US5795800(B1) 申请公布日期 2000.03.28
申请号 US19960686395 申请日期 1996.07.25
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, INC. 发明人 CHAN TSIU CHIU;BALASINSKI, ARTUR, P.
分类号 H01L21/8238;H01L21/8244;H01L27/092;H01L27/11;H01L27/12;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/00 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
主权项
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