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<p>Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Apertur (10) in einem Halbleitermaterial (12) mit folgenden Schritten beschrieben: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (14), beispielsweise eines (100)-orientierten Siliziumwafers mit einer Oberfläche (16) und einer Unterfläche (18), Erzeugen einer Vertiefung (20) mit einer Seitenwand (22) in der Oberfläche (16) des Halbleiterwafers (14) durch partielles Anätzen der Oberfläche (16), wobei die Vertiefung (20) einen der Unterfläche (18) zugewandten, geschlossenen Bodenbereich (24) bevorzugt mit insbesondere einer konvexen oder insbesondere einer konkaven Ecke oder Kante oder dergleichen Krümmung aufweist. Nach Aufbringen einer Oxidschicht (26) auf dem Halbleitermaterial (12) wenigstens im Bereich der Vertiefung (20) durch Oxidation des Halbleitermaterials (12), wobei die Oxidschicht (26) im Bodenbereich (24) bevorzugt eine Inhomogenität (28) aufweist, wird das Halbleitermaterial (14) an der Unterfläche (18) des Halbleiterwafers (14) selektiv bis zum Freilegen wenigstens der im Bodenbereich (24) befindlichen Oxidschicht (26) rückgeätzt. Anschließend wird die freigelegte Oxidschicht (26) bis wenigstens zu deren Durchtrennung angeätzt. Weiterhin sind auch eine insbesondere nach diesem Verfahren hergestellte Apertur (10) in einem Halbleitermaterial (12) sowie verschiedene Verwendungen einer solchen Apertur (10) beschrieben.</p> |
