| 摘要 |
<p>Die Halbleiterstruktur besteht aus einem ersten Halbleitergebiet (2) eines vorgegebenen Leitungstyps, innerhalb dessen mehrere vergrabene Inselgebiete (3) sowie ein von den Inselgebieten (3) räumlich abgesetztes, ebenfalls vergrabenes Inselkontaktgebiet (6) jeweils mit gegenüber dem Leitungstyp des ersten Halbleitergebiets (2) entgegengesetztem Leitungstyp angeordnet sind. Die Inselgebiete (3) sind untereinander und mit dem Inselkontaktgebiet (6) elektrisch leitend verbunden. Es sind in dem ersten Halbleitergebiet (2) Kontaktlöcher (70) vorgesehen, die bis zum Inselkontaktgebiet (6) reichen. Die Kontaktlöcher (70) dienen der ohmschen Kontaktierung des Inselkontaktgebiets (6) und damit auch der der Inselgebiete (3).</p> |
