半导体器件中的晶体管及其制造方法

摘要

一种半导体器件中的晶体管及其制造方法，能提高其激励速度，通过形成较沟道和ＬＤＤ区（轻掺染漏区）更厚的结区，可降低结区本身的电阻。

主权项

1.一种半导体器件中的晶体管，包括：一场氧化层，形成在SOI晶片的场区上，所述晶片中以叠层结构形成有一硅层、一绝缘层和一SOI层；一栅氧化层，形成在所述SOI晶片的有源区的选择部分上；以及一栅极，形成在所述栅氧化层上；其特征在于还包括：一氧化衬垫，形成在所述栅极的两侧壁上；和一多晶硅层，形成在所述场氧化层及所述场氧化层与所述氧化衬垫之间的所述SOI层部分上，其中所述多晶硅层和该多晶硅层下面的SOI层通过注入杂质离子成为第一结区，而所述氧化衬垫下面的所述SOI层通过注入杂质离子成为第二结区。