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发明名称 Short-channel field-effect transistor having an impurity gradient in the channel incrasing from a midpoint to each end
摘要
申请公布号 US3398337(A) 申请公布日期 1968.08.20
申请号 US19660545035 申请日期 1966.04.25
申请人 JOHN J. SO 发明人 SO JOHN J.
分类号 H01L29/00;H01L29/76;H01L29/80 主分类号 H01L29/00
代理机构 代理人
主权项
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