| 主权项 |
1.一种记忆容量切换方法,用以切换一半导体装置内一可存取记忆体容量,该半导体装置系于一单晶片上包括该记忆体、用以产生一容量切换信号之一容量切换信号产生电路、以及根据该容量切换信号切换该可存取记忆体容量之一控制电路;该记忆容量切换方法包括下列步骤:设定该容量切换信号产生电路所产生之该容量切换信号为0和1中一者,致使该控制电路据以切换记忆容量。2.如申请专利范围第1项所述之该记忆容量切换方法,其中,该容量切换信号产生电路包括一接合垫与一PMOS电晶体,该接合垫以可连接方式及于一低电位参考电源,该PMOS电晶体以闸极连接该低电位参考电源、以源极连接一高电位参考电源、以汲极连接一信号线,该信号线用以将该接合垫耦接至该控制电路;该记忆容量切换方法包括下列步骤:连接该接合垫至该低电位参考电源与自该低电位参考电源处断离中一者的方式,将该容量切换信号产生电路所产生之该容量切换信号设定为相对应0与1中一者。3.如申请专利范围第1项所述之该记忆容量切换方法,其中,该容量切换信号产生电路包括一接合垫与一电阻器,该接合垫以可连接方式及于一低电位参考电源,该电阻器以一端连接一信号线、以另一端连接一高电位参考电源,该信号线用以将该接合垫耦接至该控制电路;该记忆容量切换方法尚包括下列步骤:连接该接合垫至该低电位参考电源与自该该低电位参考电源处断离中一者的方式,将该容量切换信号产生电路所产生之该容量切换信号设定为相对应0与1中一者。4.如申请专利范围第2或3项所述之该记忆容量切换方法,其中,该接合垫系于组合时所提供之配线连接至该低电位参考电源。5.如申请专利范围第1项所述之该记忆容量切换方法,其中,该容量切换信号产生电路包括可熔断之一第一熔丝与一PMOS电晶体,该第一熔丝以一端连接至与该控制电路耦接之一信号线、以另一端连接一低电位参考电压,该PMOS电晶体以闸极连接该低电位参考电源、以源极连接一高电位参考电源、以汲极连接该信号线;该记忆容量切换方法尚包括下列步骤:熔断该第一熔丝之与否,设定该容量切换信号产生电路所产生之该容量切换信号为相对应之0与1中一者。6.如申请专利范围第1项所述之该记忆容量切换方法,其中,该容量切换信号产生电路包括可熔断之一第一熔丝与一第二熔丝,该第一熔丝以一端连接至与该控制电路耦接之一信号线、以另一端连接一低电位参考电压,该第二熔丝以一端连接该信号线、以另一端连接一高电位参考电源;该记忆容量切换方法尚包括下列步骤:熔断该第一熔丝与该第二熔丝中一者,设定该容量切换信号产生电路所产生之该容量切换信号为相对应之0与1中一者。7.如申请专利范围第5或6项所述之该记忆容量切换方法,其中,该等熔丝是于雷射修整时以雷射熔断。8.一种半导体装置,系于一单晶片上包括一可存取记忆体、产生一容量切换信号之一容量切换信号产生电路、以及根据该容量切换信号切换该可存取记忆体容量之一控制电路。9.如申请专利范围第8项所述之该半导体装置,其中,该容量切换信号产生电路包括一接合垫与一PMOS电晶体,该接合垫以可连接方式及于一低电位参考电源,该PMOS电晶体以闸极连接该低电位参考电源、以源极连接一高电位参考电源、以汲极连接一信号线,该信号线用以将该接合垫耦接至该控制电路。10.如申请专利范围第8项所述之该记忆容量切换方法,其中,该容量切换信号产生电路包括一接合垫与一电阻器,该接合垫以可连接方式及于一低电位参考电源,该电阻器以一端连接一信号线、以另一端连接一高电位参考电源,该信号线用以将该接合垫耦接至该控制电路。11.如申请专利范围第8项所述之该记忆容量切换方法,其中,该容量切换信号产生电路包括可熔断之一第一熔丝与一PMOS电晶体,该第一熔丝以一端连接至与该控制电路耦接之一信号线、以另一端连接一低电位参考电压,该PMOS电晶体以闸极连接该低电位参考电源、以源极连接一高电位参考电源、以汲极连接该信号线。12.如申请专利范围第8项所述之该记忆容量切换方法,其中,该容量切换信号产生电路包括可熔断之一第一熔丝与一第二熔丝,该第一熔丝以一端连接至与该控制电路耦接之一信号线、以另一端连接一低电位参考电压,该第二熔丝以一端连接该信号线、以另一端连接一高电位参考电源。13.如申请专利范围第8项所述之该半导体装置,其中,该控制电路包括:一第一AND电路,用以输入一n位元长记忆位址信号之一反相部,该等反相部建构得由最高位元m-1等位元所组成之一信号,其中,n为至少为2之整数,m为不大于n之整数;一NOT电路,用以输入该n位元长记忆位址信号部分由最高位元m所组成之一信号;一OR电路,用以输入该NOT电路之一输出与该容量切换信号产生电路之该容量切换信号;一第二AND电路,用以输入该第一AND电路之一输出与该OR电路之一输出;以及一三态缓冲器,当于该第二AND电路一输出为1时,用以输出该位址记忆信号做为一内部记忆位址信号。图式简单说明:第一图系显示根据本发明第一实施例一半导体装置的方块图;第二图系显示第一实施例内一容量切换信号产生电路与一控制电路的详细方块图;第三图系显示记忆位址値对应于存取记忆区之一列表;第四图系显示来自容量切换信号产生电路之一容量切换信号设定为1的说明图示;第五图系显示来自容量切换信号产生电路之一容量切换信号设定为0的说明图示;第六图所示当来自容量切换信号产生电路之一容量切换信号设定为1时之记忆映射图;第七图所示当来自容量切换信号产生电路之一容量切换信号设定为0时之记忆映射图;第八图系显示根据本发明第二实施例一半导体装置内容量切换信号产生电路的详细方块图;第九图系显示根据本发明第三实施例一半导体装置内容量切换信号产生电路的详细方块图;以及第十图系显示根据本发明第四实施例一半导体装置内容量切换信号产生电路的详细方块图。 |
