| 主权项 |
1.一种于具有像素RC时间常数的场发射显示内提供一灰阶之方法,其步骤包括:提供一对应第一灰阶位阶的第一驱动脉冲,第一驱动脉冲具有一脉冲宽度大于场发射显示的像素RC时间常数;以及提供一对应第二灰阶位阶的第二驱动脉冲,第二驱动脉冲具有一脉冲宽度等于第一驱动脉冲的脉冲宽度与一脉冲宽度增量之和,脉冲宽度增量少于第一驱动脉冲的脉冲宽度。2.如申请专利范围第1项之于场发射显示内提供一灰阶之方法,其中第一驱动脉冲的脉冲宽度大于两倍场发射显示的像素RC时间常数。3.如申请专利范围第1项之于场发射显示内提供一灰阶之方法,其中脉冲宽度增量少于第一驱动脉冲的脉冲宽度之半。4.如申请专利范围第1项之于场发射显示内提供一灰阶之方法,其中脉冲宽度增量少于第一驱动脉冲的脉冲宽度之三分之一。5.一种于场发射显示内提供一具有灰阶位阶总数为N之灰阶的方法,其步骤包括:提供一对应第N灰阶的第N驱动脉冲并具有一脉冲宽度;提供一对应第一灰阶的第一驱动脉冲并具有一脉冲宽度;以及提供一对应第n灰阶的第n驱动脉冲并具有一脉冲宽度,n为一介于1至N的整数,第n驱动脉冲的脉冲宽度tn由tn=t1+[n-1]*tin所给定这里t1为第一驱动脉冲的脉冲宽度,且tin为脉冲宽度增量,其少于第一驱动脉冲的脉冲宽度。6.如申请专利范围第5项之于场发射显示内提供一灰阶之方法,其中N大于100。7.如申请专利范围第6项之于场发射显示内提供一灰阶之方法,其中N大于200。8.如申请专利范围第7项之于场发射显示内提供一灰阶之方法,其中N大于256。9.如申请专利范围第5项之于场发射显示内提供一灰阶之方法,其中对应第一灰阶位阶的第一驱动脉冲之脉冲宽度大于500毫微秒。10.如申请专利范围第9项之于场发射显示内提供一灰阶之方法,其中对应第一灰阶位阶的第一驱动脉冲之脉冲宽度大于1000毫微秒。图式简单说明:第一图是一与本发明的方法一起使用之先前技艺场发射装置的横截面图;第二图是一场发射显示的总充电响应对应用于驱动脉冲讯号的脉冲宽度之图表示;第三图是一根据本发明用来计算第一灰阶位阶之脉冲宽度的电路模型概要表示;第四图包括一用来实行本发明的方法之时序图,并更进一步包括一先前技艺之时序图;第五图包括一发光度对灰阶位阶之图表示;以及第六图包括一根据本发明与先前技艺的方法之发光度误差对灰阶位阶的图表示。 |
