| 主权项 |
1.一种芳香族聚醯胺系树脂成形体,其特征在于:该成形体系其中至少一个表面在原子间力显微镜观察下,其自乘平均粗度在1.0nm以上、且十点平均粗度在80nm以下,同时至少一方向之拉伸杨氏模数在9.8GPa以上者;又,该芳香族聚醯胺中,以对位定向键结之芳香环,系占全部芳香环之50%以上。2.如申请专利范围第1项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该表面上高度5nm以上突起之非粒子指数系在80%以上者。3.如申请专利范围第1项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该表面上突起之平均高度除以突起之平均径所得之値系在1/40-1/2间者。4.如申请专利范围第2项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该表面上突起之平均高度除以突起之平均径所得之値系在1/40-1/2间者。5.如申请专利范围第1项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该表面上突起之平均径系在30nm以上300nm以下者。6.如申请专利范围第1项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该表面上非粒子突起之最大突起高度系在其平均粗度之20倍以下者。7.如申请专利范围第1项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该表面上所形成高度5nm以上之突起个数系在2105个/mm2以上者。8.如申请专利范围第7项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中高度50nm以上之突起为2105个/mm2以下,高度5nm之水平面切断后之突起截面积系占总面积之1-20%者。9.如申请专利范围第1项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该表面上粒子突起之个数系在0.1104个/mm2以上20104个/mm2以下者。10.如申请专利范围第9项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该表面上粒子突起之平均高度系在10nm以上75nm以下者。11.如申请专利范围第10项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该粒子突起实质上系由无机物化合物所造成者。12.如申请专利范围第1项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中可形成该表面之芳香族聚醯胺,系含有芳香族聚醯胺和0.1%重量以上、10%重量以下之芳香族聚醯胺以外之异种聚合体者。13.如申请专利范围第12项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该芳香族聚醯胺之溶解性系数a、异种聚合体之溶解性系数b,系能满足下列式者,50(MJ/m3)1/2≦a≦70(MJ/m3)1/2︱a-b︱≦20(MJ/m3)2/1 。14.如申请专利范围第12项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该异种聚合体系由聚系聚合体,聚醚亚胺系聚合体,聚对苯氧系聚合体、聚酮系聚合体、聚碳酸酯系聚合体、聚酯聚合体及聚亚胺系聚合体选用至少1种者。15.如申请专利范围第14项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该异种聚合体系聚聚合体者。16.如申请专利范围第12项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该粒子之含有量系在0.0001%重量以上1.0%重量以下者。17.如申请专利范围第1-16项中任何一项之芳香族聚醯胺系树脂成形体,其中该成形体系为薄膜者。18.一种磁气记录媒体,系于如申请专利范围第1-16项中任何一项之芳香族聚醯胺系树脂成形体之至少一面上设置磁性层而构成者。19.如申请专利范围第18项之磁气记录媒体,其中该磁性层系由金属薄膜型磁性层所形成者。20.如申请专利范围第18项之磁气记录媒体,其中该磁气记录媒体系为幅宽2.3-13mm,支持体厚度6.5m以下,长度100m/卷以上,作为磁气记录媒体用之记录密度在8K byte/mm2以上之磁带者。21.一种制造如申请专利范围第17项之芳香族聚醯胺系树脂成形体的方法,其特征在于:令异种聚合体和芳香族聚醯胺之非质子性有机极性溶液在支持体上流布,并以3-15%之脱溶媒速度乾燥使其形成薄膜状后,通过水浴,并且其后之乾燥及/或热处理工程中,其最高温度系在异种聚合体玻璃转移温度(℃)以上,(玻璃转移温度+100℃)以下,接触薄膜面之气流风速系在1m/s以上30m/s以下者。 |
