| 摘要 |
<P>L'invention concerne un mur d'isolement du deuxième type de conductivité destiné à séparer des composants élémentaires formés dans des caissons différents d'une tranche semi-conductrice d'un premier type de conductivité, un composant situé dans l'un au moins des caissons étant susceptible de fonctionner avec une densité de courant importante. Le mur d'isolement comporte au moins deux murs d'isolement élémentaires (63, 64) séparés par une portion (65) du matériau de la tranche et, en fonctionnement, cette portion est connectée à un potentiel de référence.</P> |
