FERROELECTRIC TRANSISTOR, ITS USE IN A STORAGE CELL SYSTEM AND ITS METHOD OF PRODUCTION

摘要

Ein als Speicherelement geeigneter ferroelektrischer Transistor weist zwischen Source-/Drain-Gebieten (12) an der Oberfläche eines Halbleitersubstrats (11) eine erste Gatezwischenschicht (13) und eine erste Gateelektrode (14) auf, wobei die erste Gatezwischenschicht (13) mindestens eine ferroelektrische Schicht (132) enthält. Neben der ersten Gatezwischenschicht (13) ist zwischen den Source-/Drain-Gebieten (12) eine zweite Gatezwischenschicht (16) und eine zweite Gateelektrode (17) angeordnet, wobei die zweite Gatezwischenschicht (16) eine dielektrische Schicht enthält. Die erste Gateelektrode (14) und die zweite Gateelektrode (17) sind über eine Diodenstruktur miteinander verbunden.