发明名称 |
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND USE OF SAME AS STORAGE ELEMENT IN A STORAGE SYSTEM |
摘要 |
In einem magnetoresistiven Element ist ein nichtmagnetisches Schichtelement (3) zwischen einem ersten ferromagnetischen Schichtelement (1) und einem zweiten ferromagnetischen Schichtelement (2) angeordnet. Das nichtmagnetische Schichtelement (3) besteht aus einem Material, das in einem Temperaturbereich, der bei der Herstellung des magnetoresistiven Elementes erforderlich ist, eine Diffusionsbarrierewirkung aufweist und selbst nicht in die benachbarten ferromagnetischen Schichtelemente eindiffundiert. Das magnetoresistive Element ist sowohl als Sensorelement als auch als Speicherelement einer Speicherzellenanordnung geeignet.
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申请公布号 |
WO0014748(A1) |
申请公布日期 |
2000.03.16 |
申请号 |
WO1999DE01942 |
申请日期 |
1999.07.01 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;SCHWARZL, SIEGFRIED |
发明人 |
SCHWARZL, SIEGFRIED |
分类号 |
G11C11/14;G11B5/39;G11C11/15;G11C11/16;H01F10/16;H01F10/30;H01F10/32;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;(IPC1-7):G11C11/16;H01F10/08 |
主分类号 |
G11C11/14 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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