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Beschrieben wird ein Wasserstoffsensor mit einer temperaturabhängig wasserstoffempfindlichen Halbleiterschicht und einer selektiv wasserstoffdurchlässigen Deckschicht. Es wird vorgeschlagen, daß die Halbleiterschicht aus Strontiumtitanat, SrTiO¶3¶, besteht, der zur Kompensation ihrer Temperaturempfindlichkeit eine weitere Strontiumtitanatschicht zugeordnet ist, welche von einer selektiv Wasserstoff filternden Deckschicht abgedeckt ist und einen anderen Verlauf der Leitfähigkeitskennlinie als die erste Halbleiterschicht aufweist. Die Deckschicht besteht aus Siliziumdioxid, SiO¶2¶, oder Siliziumnitrid, Si¶3¶N¶4¶. Die Strontiumtitanatschichten sind in Sauerstoffatmosphäre gesintert und/oder getempert.
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