| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit in einem Halbleiterkörper alternierend angeordneten Halbleitergebieten (4, 5) abwechselnd unterschiedlichen Leitungstyps, die sich im Halbleiterkörper von wenigstens einer ersten Zone (6) bis in die Nähe zu einer zweiten Zone (1) erstrecken und eine variable Dotierung haben, so daß das elektrische Feld einen von beiden Zonen (6, 1) aus ansteigenden Verlauf hat.</p> |
