| 发明名称 |
REDUNDANCY STRUCTURE AND FAIL CELL REPAIRING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100247920(B1) |
申请公布日期 |
2000.03.15 |
| 申请号 |
KR19960080105 |
申请日期 |
1996.12.31 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
YU, JEI-HWAN |
| 分类号 |
G11C29/04;G11C11/401;G11C29/00;(IPC1-7):G11C29/00 |
主分类号 |
G11C29/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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