使阈值电压上升的升压阱

摘要

一种改进的升压阱注入,它可比传统的辉光注入提供更好的特性,特别是对于短沟道装置(例如0.25微米或更小)。事实上,注入物可被分布在整个沟道内,但当器件的栅长度小于临界尺寸时,须使较高的浓度发生在沟道的,这时可采用很大的倾斜角(例如30°－50°)、较轻的搀入物品种和比传统的辉光注入大的能量来注入。

主权项

1.用来制造具有栅的MOS器件的一种改进方法，该MOS器件具有属于第一导电类型源区和漏区，它们是在属于第二导电类型的衬底区域上形成的，该改进方法的特征为，将属于第二导电类型的掺杂物注入到衬底内，这样在栅长度减短时，来增加属于第二导电类型的掺杂物在某一区域内的掺杂物浓度，这个区域一般在源区域和漏区域的中间。