| 发明名称 | 具有BeTe缓冲层的Ⅱ－Ⅵ族半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种Ⅱ－Ⅵ族半导体器件,包括电气连接到顶部电气触点的Ⅱ－Ⅵ族半导体层的堆垛。提供了一种GaAs衬底,它支撑Ⅱ－Ⅵ族半导体层的堆垛并与顶部电气触点相对。在GaAs和Ⅱ－Ⅵ族半导体衬底层的堆垛之间提供BeTe缓冲层。BeTe缓冲层减少了GaAs衬底与Ⅱ－Ⅵ族半导体层堆垛之间界面处的堆垛层错缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN1247638A | 申请公布日期 | 2000.03.15 |
| 申请号 | CN98802564.7 | 申请日期 | 1998.02.10 |
| 申请人 | 美国3M公司 | 发明人 | T·J·米勒 |
| 分类号 | H01L33/00;H01S5/327 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张政权 |
| 主权项 | 1.一种II-VI族半导体器件，其特征在于包括：II-VI族半导体层的堆垛；靠近II-VI族半导体层的GaAs衬底；以及GaAs衬底与II-VI族半导体层堆垛之间的BeTe缓冲层，所述BeTe缓冲层的厚度大于约80A，从而减少靠近GaAs衬底和II-VI族半导体层堆垛之间界面的区域中的堆垛层错缺陷。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||