发明名称 | 通路结构 | ||
摘要 | 一种通路结构,它是通过在衬底(1)中的通路位置处蚀刻一个通孔(3)并且在孔(3)的倾斜侧壁(8)上设置传输线(25)获得的。传输线(25)通过通路(29)延续至衬底(1)另一表面上的导体(17),通路(29)设置在衬底底侧的一个薄膜结构的自由部分中。此自由部分是如此的强大,以致于其中可以制备多个通路(29),从而连接至形成例如一个总线结构的多个平行传输线(25)。大的自由部分可以由一个厚的支撑层(33)辅助支撑,支撑层敷设在孔(3)中各层的顶部。通过在衬底(1)和传输线(25)之间敷设一个隔离的接地平面(19)和一个电介质层(23),通路孔结构的倾斜侧壁(8)上的传输线可以做成阻抗匹配的。对于单晶硅衬底(1),通路孔的倾斜侧壁(8)可以采用V型槽蚀刻技术容易地获得。所获得的通路结构特别适于数据传输总线,这不需要降低其通过通路结构的传输线密度。 | ||
申请公布号 | CN1247635A | 申请公布日期 | 2000.03.15 |
申请号 | CN97181871.1 | 申请日期 | 1997.12.19 |
申请人 | 艾利森电话股份有限公司 | 发明人 | H·赫瑟尔波姆;P·波德 |
分类号 | H01L23/485;H01L23/522 | 主分类号 | H01L23/485 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 周备麟 |
主权项 | 1.一种通路结构,包括:一个电绝缘的或半绝缘的衬底,它具有两个相反的表面,即一个前表面和一个后表面;衬底之两个相反表面的每一个表面上的电导体路径,即前表面上的一个前导体路径和后表面上的一个后导体路径;衬底中的一个通孔,它具有从前表面上的顶部开口向下朝向衬底后表面上的底部开口倾斜的侧壁;其特征在于:一层电绝缘薄膜,它延伸于底部开口以及侧壁的邻近部分和/或后表面上,此电绝缘薄膜在通孔内具有一个面向通孔侧壁的自由的底表面,第一孔,它形成在电绝缘薄膜中,并且位于通孔的底部开口内、距侧壁的下边缘有相当大的距离,后导体路径在电绝缘薄膜上延伸至第一孔,侧壁电导体路径,它电连接至前导体路径并且在倾斜的侧壁上向下延伸至自由底表面上的底部开口并延伸至第一孔,和第一孔中的导电通路,此通路将侧壁导体路径和后导体路径电性互连。 | ||
地址 | 瑞典斯德哥尔摩 |