| 发明名称 | 半导体存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是为了减小存储单元区和外围电路区之间的高度差,从而增大光刻工艺中的聚焦裕度,由此获得高度集成的DRAM。本发明的半导体存储器包括:在其上形成晶体管的半导体衬底;形成在半导体衬底上的层间绝缘膜;形成在层间绝缘膜中的位线和电容器下电极;形成在位线和电容器下电极上的电容器绝缘膜;以及形成在电容器绝缘膜上的电容器上电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1247385A | 申请公布日期 | 2000.03.15 |
| 申请号 | CN99119027.0 | 申请日期 | 1999.09.07 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 本间章博 |
| 分类号 | H01L27/108;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;余朦 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器，包括：在其表面上有晶体管形成的半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的层间绝缘膜；形成在所述层间绝缘膜上并通过接触孔与所述晶体管连接的位线和电容器下电极；形成在所述电容器下电极上的电容器绝缘膜；以及形成在所述电容器绝缘膜上的电容器上电极，其特征在于，所述位线和所述电容器下电极是通过对由相同材料构成的单层进行构图而形成的。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||