| 发明名称 | 用于最小化半导体存储器存取时间的方法 | ||
| 摘要 | 在同等技术参数时半导体存储器的存取时间根据制造条件产生差异,这个差异在一个缓慢的存储器芯片上得到了一个指示部分。通过缓慢半导体存储器内部的一个依赖于每个半导体存储器的电源电压的提高这个存取时间被缩短。这个方法被应用于半导体存储器,特别应用于动态半导体存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN1247625A | 申请公布日期 | 2000.03.15 |
| 申请号 | CN98802482.9 | 申请日期 | 1998.02.02 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | L·贝尔 |
| 分类号 | G11C11/407;G11C29/00 | 主分类号 | G11C11/407 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;张志醒 |
| 主权项 | 1.借助一个电源电压发生器产生一个内部的电源电压来最小化关于半导体存储器数据的存取时间的方法，是利用下面的方法步骤来实现的：-依赖于一个内部电源电压的给定值得出描述存取时间参数的值，-增加电压的值是属于该参数所得到的值，依照参数值这个增加电压超过了半导体存储器内部电源电压的给定值并且在这种情况下存储器正好以完备的功能工作，-这个内部电源电压被调整到增加电压值 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||