用于Ⅱ－Ⅵ族半导体光转换器件的欧姆接触的钝化包层

摘要

一种Ⅱ－Ⅵ族半导体器件,包括半导体层的堆垛(10)。设有电气耦合到堆垛的欧姆接触(34)。此欧姆接触在暴露于氧化物质时具有某一氧化率。钝化覆盖层(42)覆盖在此欧姆接触上,且其氧化率小于欧姆接触的氧化率。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于包括：半导体层的堆垛；电气耦合到此堆垛的欧姆接触，此欧姆接触包括包含Be的II-VI族半导体且在暴露于氧化材料中时具有某一氧化率；以及复盖在欧姆接触上的钝化覆盖层，所述覆盖层的氧化率小于欧姆接触的氧化率。