| 发明名称 |
A METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE FOR IMPROVING CHARACTERISTICS OF TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100248506(B1) |
申请公布日期 |
2000.03.15 |
| 申请号 |
KR19970043559 |
申请日期 |
1997.08.30 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
HA, DAE-WON |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8234;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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