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发明名称 SEMICONDUCTOR ELEMENT ISOLATING METHOD USING PADOXIDATION BY CVD
摘要
申请公布号 KR100247939(B1) 申请公布日期 2000.03.15
申请号 KR19970077778 申请日期 1997.12.30
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 KIM, SUNG YEE;AN, DONG HO;SHIN, YU KYUN
分类号 H01L21/285;H01L21/316;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
主权项
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