| 主权项 |
1.一种电子元件,主要为具备有绝缘膜,其特征为:上述绝缘膜之主要成分为矽以及氮,上述矽:氮的元素比例约为3:4,而上述绝缘膜之稀有气体元素的含有率为0.01至3atm%。2.如申请专利范围第1项所述之电子元件,其中上述电子元件为薄膜电晶体。3.如申请专利范围第1项所述之电子元件,其中上述稀有气体元素为氩元素。4.一种电子元件之制造方法,主要具备有主要成分为矽与氮的绝缘膜,其特征为:用于藉电浆CVD法而形成上述绝缘膜的气体组成,系一至少含有矽烷、氨、氮及稀有气体元素的混合气体,而上述稀有气体元素与氮气之莫耳比(molar ratio)为稀有气体元素/氮气=0.1至10的范围。5.如申请专利范围第4项之电子元件之制造方法,其中上述绝缘膜是在220℃至280℃之范围下而成膜。6.如申请专利范围第4项之电子元件之制造方法,其中上述电子元件系一具有直接接触于上述绝缘膜之非晶矽膜的电子元件,而上述绝缘膜与上述非晶矽膜系在几乎相同的温度下被成膜。7.如申请专利范围第4项之电子元件之制造方法,其中上述稀有气体为氩元素。8.一种电子元件之制造方法,主要具备有主要成分为矽与氮的绝缘膜,其特征为:用于藉喷溅法形成上述绝缘膜的靶体(target)至少含有矽,而在喷溅成膜时之环境气体系一至少为稀有气体元素之气体、氢气及氮气或是氨气的混合体系,而该些气体的分压为稀有气体元素分压为0.20至0.40Pa,氢气分压为0.02至0.15Pa。9.如申请专利范围第8之电子元件之制造方法,其中前述稀有气体元素为氩元素。图式简单说明:第一图,(A)系表本发明之实施例之容量元件的平面概略图、(B)系表示(A)之沿IB-I′B线的断面图。第二图系表示使用在本发明之实施例之绝缘膜中之氩元素含有率与绝缘耐压之关系的说明图。第三图系表示使用在本发明之实施例之电子元件之绝缘膜的氩元素含有率与内部应力之关系的说明图。第四图系表示使用本发明之实施例之TFT之主动矩阵基板之一部分的平面概略图。第五图系表示第四图之沿V-V′线的断面概略图。第六图系表示膜中之氩元素含有率与膜中之钠离子之峰値浓度之关系的说明图。第七图系表实施例与比较例之三层成膜之温度剖面的说明图。第八图系表示成膜温度与异物产生数的关系图。第九图系表示习知之主动矩阵基板用TFT阵列的说明图。第十图系表示第九图之沿X-X′线的断面概略图。 |
