| 主权项 |
1.一种半导体装置之精细图案的形成方法,包括步骤:准备一晶圆以供制作;氧化该晶圆之一顶面,以不与空气中的氨反应;于该氧化的晶圆顶面上涂覆一光阻剂;及将该光阻剂暴露并显影以形成光阻图案。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化步骤系使用氧电浆处理来进行。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该氧电浆处理使用一电浆反应器,其中该晶圆之顶面被氧电浆氧化。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该氧电浆以约10-1000cm3/min的气流率、于约10-100瓦的电场中、于一约10-100毫托的气压下产生。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该氧电浆系使用纯氧来产生。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该氧电浆系使用氧气与氩气的混合物来产生。7.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该氧电浆系使用氧气与氮气的混合物来产生。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化步骤系使用化学气相沈积来进行。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化步骤系使用一酸来进行。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该酸系选自包括硫酸、磷酸、硝酸与盐酸的集合。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化物膜具一约1000A或以下的厚度。12.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括在该涂覆步骤之前,对该晶圆之顶面涂底的步骤,其中,该涂底的步骤系实施用以增强后续制程中形成之光阻剂的黏着力。13.一种半导体装置之精细图案的形成方法,包括步骤:准备一晶圆以供制作;形成一不会于该晶圆之一顶面与空气中的氨反应之氧化物膜;在该氧化物膜形成之后对该晶圆涂底,其中,该涂底的步骤系实施用以增强后续制程中形成之光阻剂的黏着力;于该涂底的晶圆上涂覆一光阻剂;及将该光阻剂暴露并显影以形成光阻图案。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该形成一氧化物膜之步骤系使用一电浆反应器,其中该晶圆之顶面被氧电浆氧化。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该氧电浆以约10-1000cm3/min的气流率、于约10-100瓦的电场中、于一约10-100毫托的气压下产生。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该氧电浆系使用纯氧来产生。17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该氧电浆系使用氧气与氩气的混合物来产生。18.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该氧电浆系使用氧气与氮气的混合物来产生。19.一种半导体装置之精细图案的形成方法,包括步骤:准备一晶圆以供制作;藉由使用一酸来中和污染该晶圆顶面之氨,以去除氨;在去除氨之后对该晶圆涂底,其中,该涂底的步骤系实施用以增强后续制程中形成之光阻剂的黏着力;于该涂底的晶圆上涂覆一光阻剂;及将该光阻剂暴露并显影以形成光阻图案。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该酸系选自包括硫酸、磷酸、硝酸与盐酸的集合。图式简单说明:第一图A系为一示意图,显示传统的两元素正向化学增强光阻剂的光反应;第一图B系为一示意图,显示传统的三元素正向化学增强光阻剂的光反应;第二图A至第二图C系为剖面示意图,显示一种传统的使用一正向光阻剂来形成半导体装置之精细图案的方法;第三图A至第三图C系为剖面示意图,显示一种传统的使用一负向光阻剂来形成半导体装置之精细图案的方法;第四图A至第四图D系为剖面示意图,显示依据本发明之一第一实施例的一种形成半导体装置之精细图案之方法;及第五图A至第五图D系为剖面示意图,显示依据本发明之一第二实施例的形成半导体装置内精细图案之方法。 |
