| 主权项 |
1.一种半导体之打光方法,其特征在于: 在将经切割之导体体晶圆装填于载具上,藉由上下 定盘来挟压,以平坦化其半导体晶圆之切断面的打 光方法中,有关于全部该半导体晶圆,在该半导体 晶圆之一部分自该定盘之打光面外周侧及/或内周 侧露出之状态下,实施打光,然后在没有自该打光 面露出之状态下打光该半导体晶圆之后,结束打光 制程,并且该上下定盘以给与该半导体晶圆之表面 影响之足够荷重施加于该半导体晶圆上,以维持该 半导体晶圆不会自打光面露出的状态。2.一种半 导体之打光方法,其特征在于: 在将经切割之导体体晶圆装填于载具上,藉由上下 定盘来挟压,以平坦化该半导体晶圆之切断面之半 导体晶圆的打光方法中,有关于装填于该载具上之 全部该半导体晶圆,使用能使该晶圆之一部分处于 自该定盘的打光面露出之位置,以及没有自该打光 面露出之位置的载具,在该上下定盘给与该半导体 晶圆表面影响之足够荷重下,于该半导体晶圆不会 自该打光面露出位置上实施打光后,结束打光制程 。3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体之打光 方法,其特征在于: 藉由设置在各定盘之外周侧上的内齿轮及设置在 内周侧上的行星齿轮来控制装填半导体晶圆之载 具的公转及自转,设置个别控制该内齿轮及行星齿 轮之回转速度的个别伺服马达,藉由控制个别该伺 服马达来自转该载具,以便能特别指定出相对于晶 圆之各定盘的位置。4.如申请专利范围第1项或第2 项之半导体之打光方法,其特征在于: 一面藉由在正逆方向上自转载具,以对该半导体晶 圆施加水平方向之摇动,一面实施打光。5.一种半 导体晶圆之打光装置,其特征在于: 为藉由上下定盘来挟压经切割之晶圆,并平坦化化 该晶圆之切断面之半导体晶圆的打光装置,在藉由 设置在各定盘之外周侧上的内齿轮及设置在内周 侧上的行星齿轮以控制装填晶圆之载具公转及自 转的打光装置中,设置个别控制该内齿轮及该行星 齿轮之回转速度的伺服马达,而个别伺服马达以能 确认各齿轮之回转状态那样来设置,并同时以能输 入个别之齿轮回转程式来设置。图式简单说明: 第一图系显示出第1实施例之打光方法之研光装置 的顶视图; 第二图系显示出藉由第1实施例之打光方法所获得 之打光晶圆形状的侧面断面图; 第三图系显示出藉由第1实施例所获得之定盘打光 面形状的侧面断面图; 第四图系显示出第2实施例之打光方法之打光装置 的顶视图; 第五图系显示出第3实施例之打光方法之打光装置 的顶视图; 第六图系显示出习知技术之打光方法之打光装置 的顶视图; 第七图系显示出藉由习知技术所获得之定盘打光 面形状的侧面断面图;以及 第八图系显示出藉由习知技术之打光方法所获得 之打光晶圆形状的侧面图。 |
