发明名称 电浆处理装置
摘要 本发明之电浆处理装置,主要具备导入高频电力而在真空容器内部产生放电之电介质部,且配置天线于要导入反应气体于被减压之内部之真空容器之前述电介质部近旁。该天线配置成围绕电介质部附近,并使最接近于电介质部之表面面积形成最小。天线系令对于高频电流所流动之方向成垂直之剖面形状形成扁平,且该剖面之长边对于电介质部表面在实质上构成为垂直为其理想。以如此之结构来使相对向于电介质部表面之天线表面之面积使之尽可能地减少,以抑制在电介质部之天线投影部分之溅射使之最少。
申请公布号 TW384499 申请公布日期 2000.03.11
申请号 TW084113767 申请日期 1995.12.22
申请人 亚尼尔巴股份有限公司 发明人 高木宪一
分类号 H01L21/00;H01L21/311;H05H1/18 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种电浆处理装置,其特征为由: 具备导入高频电力至内部而产生放电之电介质部 之真空容器; 保持前述真空容器内部成减压状态用之排气机构; 导入反应气体至前述真空容器内部用之气体导入 机构; 形成围绕状被配置于前述电介质部附近,而最接近 于前述电介质部之表面面积为最小之天线; 供高频电力给予前述天线,藉由前述电介质部并由 电感耦合导入高频电力至前述真空容器内部用之 高频电力导入机构;及 在前述真空容器内,以形成相对向于前述电介质部 来设置之基板保持机构,所构成者。2.如申请专利 范围第1项所记载之电浆处理装置,其中,前述天线 系使对于高频电流之流动方向为垂直之剖面形状 形成扁平,并使前述剖面之长边使之形成实质性地 对于前述电介质部表面成为垂直为其特征。3.如 申请专利范围第1项或第2项所记载之电浆处理装 置,其中,前述电介质部乃予以形成放电容器之要 部形状,而前述天线系具有1个环状形状为其特征 。4.如申请专利范围第1项或第2项所记载之电浆处 理装置,其中,前述电介质部乃予以形成放电容器 之要部形状,而前述天线系被形成为围绕前述电介 质部状以缠绕复数圈成螺旋状形状为其特征。5. 如申请专利范围第1项或第2项所记载之电浆处理 装置,其中,前述电介质部乃予以形成放电容器之 要部形状,而前述天线系被形成为围绕前述电介质 部状来使1个环状形状之天线元件,隔着适当之间 隔至少配置有2个为其特征。6.如申请专利范围第1 项或第2项所记载之电浆处理装置,其中,前述电介 质部侧壁形状为圆筒形为其特征。7.如申请专利 范围第1项或第2项所记载之电浆处理装置,其中,前 述电介质部之形状为半球形为其特征。8.如申请 专利范围第1项或第2项所记载之电浆处理装置,其 中,前述天线系平板状,而该天线对于前述电介质 部表面被配置成实质性地成为垂直为其特征。9. 如申请专利范围第1项或第2项所记载之电浆处理 装置,其中,前述电介质部之形状为平板状,而前述 天线为环状并朝轴方向具有相对性地大的宽度为 其特征。10.如申请专利范围第1项或第2项所记载 之电浆处理装置,其中,前述电介质部之形状为平 板状,而前述天线系具有对于前述电介质部表面配 置成垂置之至少1个平板部之帘子状天线为其特征 。11.如申请专利范围第2项所记载之电浆处理装置 ,其中,前述天线之在前述剖面之长边和短边之比 为3以上为其特征。12.如申请专利范围第1项或第2 项所记载之电浆处理装置,其中,相对向于前述电 介质部表面之前述天线边缘部系其剖面形状被形 成为锐角为其特征。13.如申请专利范围第1项或2 项所记载之电浆处理装置,其中,前述天线之前述 剖面形状为椭圆为其特征。14.如申请专利范围第1 项或第2项所记载之电浆处理装置,其中,设置施加 所定磁场于前述真空容器内之电浆产生空间用之 磁场产生装置为其特征。15.如申请专利范围第1项 或第2项所记载之电浆处理装置,其中,予以形成用 以流动冷却媒体用之通道于前述天线之内部为其 特征。16.如申请专利范围第1项或第2项所记载之 电浆处理装置,其中,予以配设用以流动冷却媒体 用之通道构件于沿着前述天线之圆周方向部分为 其特征。17.一种电浆处理装置,其特征为由: 具备导入高频电力至内部而产生放电之电介质部 之真空容器; 保持前述真空容器内部成减压状态用之排气机构; 导入反应气体至前述真空容器内部用之气体导入 机构; 具有被缠绕复数圈成螺旋状形状,而配置成围绕前 述电介质部,且对于高频电流所流动之方向成垂直 之剖面为扁平并使前述之剖面长边予以形成对于 前述电介质部表面实质性地成为垂直,而且最接近 于前述电介质部之表面面积为最小之天线; 供高频电力给予前述天线,藉由前述电介质部并由 电感耦合导入高频电力至前述真空容器内部用之 高频电力导入机构;及 在前述真空容器内,以形成相对向于前述电介质部 来设置之基板保持机构,所构成者。18.如申请专利 范围第17项所记载之电浆处理装置,其中,前述电介 质部之形状为侧壁为圆筒形为其特征。19.如申请 专利范围第17项所记载之电浆处理装置,其中,前述 电介质部之形状为半球形为其特征。20.如申请专 利范围第17项至第19项中之任一项所记载之电浆处 理装置,其中,相对向于前述电介质部表面之前述 天线边缘部,将其剖面形状予以形成为锐角为其特 征。图式简单说明: 第一图系切割显示有关本发明之电浆处理装置之 适宜实施例之一部分之外观斜视图。 第二图系在第一图所示之实施例所使用之平板状 之扁平的环状天线之第1实施例外观斜视图。 第三图系第二图中之C1-C1线剖面图。 第四图系在电感耦合型电浆源之包括电浆之天线 部分之等效电路图。 第五图系显示使用第1实施例之环状天线(天线宽2 mm)时之天线两端之电压电流波形图,(A)为高频电力 供给侧部分之电压电流波形图,(B)为接地侧部分之 电压电流波形图。 第六图系显示使用习知之一般环状天线(天线宽15 mm)时之天线两端之电压电流波形图,(A)为高频电力 供给侧部分之电压电流波形图,(B)为接地侧部分之 电压电流波形图。 第七图系显示使用习知之环状天线(天线宽150mm)时 之天线两端之电压电流波形图,(A)为高频电力供给 侧部分之电压电流波形图,(B)为接地部分之电压电 流波形图。 第八图系第一图所示之装置之匹配电路之电路图 。 第九图系将上述之各环状天线两端之相位差以表 来表示之图。 第十图系显示使用第1实施例之环状天线和习知之 环状天线时之天线两端相位差之高频电力依存性 之图。 第十一图系本发明之环状天线之第2实施例的外观 斜视图。 第十二图系第十一图中之C2-C2线剖面图。 第十三图系本发明之环状天线之第3实施例的外观 斜视图。 第十四图系第十三图中之C3-C3线剖面图。 第十五图系本发明之环状天线之第4实施例的外观 斜视图。 第十六图系第十五图中之C4-C4线剖面图。 第十七图系本发明之天线之第5实施例,予以包含 环状天线状来形成为螺旋形状者,为其外观斜视图 。 第十八图系第十七图中之C5-C5线剖面图。 第十九图系显示第5实施例之变形实施例之与第十 八图同样之剖面图。 第二十图系显示本发明之天线之第6实施例,以组 合2个环状天线来形成者,为其外观斜视图。 第二十一图系第二十图中之C6-C6线剖面图。 第二十二图系显示本发明之天线之第7实施例,适 用于具有高频电力导入用半球状放电容器之电感 耦合型电浆处理装置时之例子,为其外观斜视图。 第二十三图系第二十二图中之C7-C7线剖面图。 第二十四图系显示本发明之天线之第8实施例,适 用于具有高频电力导入用平板状电介质部之电感 耦合型电浆处理装置时之例子,为其外观斜视图。 第二十五图系第二十四图中之C8-C8线剖面图。 第二十六图系显示本发明之天线之第9实施例,适 用于具有高频电力导入用半球状电介质部之电感 耦合型电浆处理装置时之例子,为其外观斜视图。 第二十七图系第二十六图中之C9-C9线剖面图。 第二十八图系本发明之环状天线之第10实施例之 外观斜视图。 第二十九图系第二十八图中之C10-C10线剖面图。 第三十图系本发明之环状天线之第11实施例之外 观斜视图。 第三十一图系第三十图中之C11-C11线剖面图。 第三十二图系切割显示习知之电感耦合型电浆处 理装置之一部分之外观斜视图。
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