发明名称 METHOD FOR REPAIRING FAULTY STORAGE CELLS OF AN INTEGRATED MEMORY
摘要 <p>Die Speicherzellen (MC) werden nacheinander geprüft und direkt im Anschluß an das Feststellen eines Defektes der jeweils geprüften Speicherzelle, wird die betroffene Zeilenleitung (WL) oder die betroffene Spaltenleitung (BL) durch Programmierung einer der redundanten Leitungen (RWL, RBL) ersetzt. Nach erfolgter Programmierung einer bestimmten Anzahl der redundanten Leitungen wird bei Feststellen eines weiteren Defektes die Programmierung wenigstens einer der redundanten Leitungen aufgehoben. Diese redundante Leitung (RWL, RBL) wird zur Reparatur eines Defektes einer anderen Speicherzelle (MC) programmiert.</p>
申请公布号 WO2000013087(A1) 申请公布日期 2000.03.09
申请号 DE1999002571 申请日期 1999.08.17
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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