发明名称 Dual damascene structure
摘要 A method for manufacturing a dual damascene structure includes the use of a sacrificial stud and provides an improved defined edge on the interface between the conductive line openings and the via openings.
申请公布号 US6033977(A) 申请公布日期 2000.03.07
申请号 US19970884729 申请日期 1997.06.30
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 GUTSCHE, MARTIN;TOBBEN, DIRK
分类号 H01L21/28;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/476 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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