PROCEDE PERMETTANT DE FORMER DES PLOTS DE CONTACT ET, EN MEME TEMPS, DE RENDRE PLANE UNE SURFACE DE SUBSTRAT DANS DES CIRCUITS INTEGRES

摘要

L'invention propose un procédé permettant de former des trous de contact (110a) et, dans le même temps, de rendre plane la surface du substrat dans un circuit intégré. Initialement, une structure conductrice (104) est formée sur un substrat semi-conducteur (100) possédant plusieurs régions de diffusion. On forme une première couche isolante sur le substrat semi-conducteur, y compris sur la structure conductrice. On grave la première couche isolante en utilisant un masque afin de former un trou de contact (108). On forme une couche conductrice sur la première couche isolante afin de remplir le trou de contact avec la couche conductrice (110a). On grave la couche conductrice jusqu'à exposer la surface supérieure de la première couche isolante. On forme une deuxième couche isolante sur la première couche isolante. On peut alors former un plot de contact (110a) exempt de vides tout en rendant plane la surface du substrat en gravant suivant un plan les deuxième et première couches isolantes.