| 摘要 |
단일 트랜지스터 플래쉬셸로서 형성된 메모리 어레이는 메모리 어레이기구에 저장된 데이타를 액세스할때 과소거된 상태에서 플로우팅게이트의 영향을 최소화하도록 하는 이 방지회로는 각 행의 전류제한기구를 공동컬럼과 함께 결합시키는 컬럼라인을 포함한다. 메모리 어레이기구 역시 각 행의 플래쉬셸을 소거 포텐샬에 결합시키는 로우전류 제한기구를 이용한다. 제2로우 스윗칭수단은 활성화되어 데이타에 엑세스되는 선택 플래쉬셸로서 동일 열에서의 과소거 플래쉬셸에 의해 발생되는 2신호가 소정의 플래쉬셸로부터 데이타복구가 마스킹되는 것을 방지한다. |
