发明名称 METHOD FOR PRODUCING A DOPED POLYCIDE LAYER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 KR100241170(B1) 申请公布日期 2000.03.02
申请号 KR19910018777 申请日期 1991.10.23
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 SCHWALKE, UDO;BURMESTER, RALF
分类号 H01L21/28;H01L21/3215;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/320 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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